Ксерографическая пластина в простейшем виде состоит из тонкого фотопроводящего изоляционного слоя, нанесенного на проводящую подложку. Если поверхность фоточувствительного слоя зарядить в темноте, то заряд с течением времени будет уменьшаться. Скорость темнового спада заряда зависит от величины темнового тока через слой, который в свою очередь зависит от плотности свободных носителей в слое. Образование свободных носителей происходит в результате следующих трех процессов: 1) теплового освобождения носителей заряда внутри слоя; 2) инжекции носителей в слой через поверхность и 3) инжекции носителей через поверхность раздела между слоем и проводящей подложкой. Обычно при комнатной температуре плотность термически возбуждаемых носителей в изоляторе мала, а те, что имеются в слое, покидают его при зарядке в коронном разряде. Свободная поверхность пленки обычно препятствует инжекции зарядов с поверхности в объем пленки. Посредством введения проводящих или полупроводящих примесей или пленок на поверхность можно увеличить инжекцию зарядов с поверхности. Примеси или пленки в этом случае аналогичны инжектирующему электроду. Физическая природа поверхностного заряда, образованного, например, коронным разрядом, пока еще не установлена. По некоторым представлениям, поверхностный заряд существует в виде ионов, адсорбированных на поверхности, или в виде зарядов, захваченных поверхностными ловушками. В последнем случае ионы, попадающие на поверхность, отдают свой заряд поверхностным уровням х). Характер поверхности раздела между фотопроводником и подложкой является определяющим фактором темнового спада. Существенно то, что этот контакт должен быть запорным для носителей по крайней мере одного знака. При положительной зарядке область контакта должна стать барьером для электронов, а при отрицательной — для дырок. Раздел должен быть эффективным при относительно высоких напряженностях поля, для того чтобы проявляемый поверхностный заряд удерживался в фоточувствительном слое. Запирание может быть обусловлено либо высоким потенциальным барьером, либо относительно низким, образованным ловушками. При наличии ловушек отпадает необходимость в постоянном запорном слое. В этом случае поверхность раздела может быть просто омическим контактом. Во время коронного разряда носители свободно переходят из проводящей подложки в пленку и захватываются глубокими ловушками. Возникает статистический Пространственный заряд, препятствующий дальнейшему потоку зарядов из подложки и уменьшающий поле на границе раздела. При выключении короны коронный ток падает до нуля. Однако темновой ток не прекращается, так как он обусловлен освобождением ловушек в области компенсирующего пространственного заряда. ?
читать далее
Сывороточная болезнь
Сывороточная болезнь развивается при длительном воздействии антигена, когда циркулирующий в крови антиген, вызвав образование антител, затем взаимодействует с ними, образуя комплекс антиген-антитело. Антитела обычно при этом относятся к классам IgG и IgM. При относительном избытке антител образуются мелкие комплексы, они могут откладываться в сосудах, вызывая воспаление и лихорадку. Кожная сыпь может быть генерализованной или ограничивается […]
Место венепункции
Вены локтевой ямки обычно крупные и хорошо контурируют, однако они имеют два серьезных дефекта: во-первых, в данной области довольно часто встречаются аномально расположенные артерии, во-вторых, в венах локтевой ямки трудно фиксировать иглу или канюлю, если необходимо длительно продолжать внутривенную терапию. Если приходится пользоваться венами локтевого сгиба, лучше пунктировать вену с латеральной стороны, подальше от артерии […]
Гидролиз крахмала
При отсутствии или недостатке, например, лактазы лактоза остается нерасщепленной, в то время как определенная часть ее абсорбируется, а большая часть достигает толстого кишечника. В восходящем отделе толстого кишечника лактоза разлагается бактериальной лактазой до моносахаридов и далее до низкомолекулярных продуктов разложения — молочной и уксусной кислот. Последние обладают сильным осмотическим действием и привлекают большое количество воды […]