В настоящее время в ксерографии аморфный селен используется только как светочувствительный материал. Влияние облучения рентгеновскими лучами на характеристики спада заряда аморфных слоев селена исследовалось несколькими лабораториями в Японии. Кривые спада под действием рентгеновских лучей, полученные в работе, оказывается, имеют такую же в основном форму, как и кривые для светового спада. Это объясняется тем, что коэффициенты поглощения рентгеновских лучей селеном малы по сравнению с коэффициентами поглощения для большей части видимой и ультрафиолетовой области спектра. В работе рассчитаны линейные коэффициенты поглощения в функции энергии рентгеновских лучей, выраженной в кв. Эти вычисления основаны на данных, опубликованных в работе. Отсюда видно, что коэффициент поглощения уменьшается довольно резко с увеличением энергии рентгеновских лучей. При 70 кв коэффициент равен приблизительно 6,85 см»1, в то время как для длины волны 400 ммк в видимой области спектра он равен 4-Ю5 см-1. При 70 кв только примерно 3,4% падающего пучка поглощается слоем селена толщиной 50 мк и меньше 1 % — при толщине 10 мк. Так как для мягких рентгеновских лучей поглощение больше, то в этой области энергии облучения чувствительность пластины из селена больше. В работе обнаружено значительное уменьшение чувствительности в интервале 50 кв — 22 Мэв, а в работе обнаружено заметное уменьшение в скорости спада в диапазоне 70-180 кв. Так как рентгеновские лучи поглощаются во всем слое селена, то в слое будут передвигаться как электроны, так и дырки. При положительном поверхностном заряде электроны будут двигаться к поверхности, а дырки — в противоположном направлении. Следовательно, фототок будет зависеть от электронных и дырочных ловушек. Так как кривые спада указывают на очень малый остаточный потенциал, то очевидно, что носители в глубоких ловушках не остаются долго. Довольно резкие эффекты «усталости», встречающиеся в ксерорентгенографии, указывают на устойчивые явления проводимости, обусловленные, вероятно, захватом большинства носителей обоих знаков на мелких ловушках. Нагрев в течение малого времени восстанавливает первоначальные свойства пластины селена.
читать далее
Определение поля для синусоидального распределения заряда на диэлектрической поверхности
Проведенный здесь расчет следует методу, предложенному Мацца. В качестве нижнего слоя диэлектрика взят фотопроводящий изолятор, а один из оставшихся двух слоев может быть воздушной прослойкой. Внешнее напряжение приложено таким образом, что верхний электрод имеет потенциал V0, а потенциал нижнего электрода равен нулю. Задача определения поля сводится к нахождению решений уравнения Лапласа V2F = 0 в […]
Величина и форма секвестров
В ходе секвестрации нагноительный процесс нередко распространяется за пределы раневого канала, вдоль трещин в кости, особенно в условиях задержки отделяемого. В результате этого в глубине кости могут образоваться новые очаги на, гноения, связанные с местом перелома лишь узкими щелями. В этих очагах также происходит некроз кости и возникают секвестры, что дает картину гнойного остеопериостита и […]
Секвестры и гнойники
Размеры гнойного очага в таких случаях почти не уменьшаются, грануляции же, выстилающие внутреннюю поверхность гноеродной оболочки, подвергаются атрофии и рубцеванию, приобретая вид грануляций в длительно не заживающих ранах мягких тканей (М. К. Даль). Между этими двумя крайними вариантами в развитии регенеративных процессов существует ряд переходных форм с различной степенью интенсивности мозолеобразования, что создает большое разнообразие […]