Если две диэлектрические поверхности находятся в таком контакте, что между ними нет воздушного зазора, то перенос зарядов в этом случае все же возможен, но условия протекания процесса переноса и механизм перемещения зарядов с одной поверхности на другую сильно отличаются от условий и механизма переноса при наличии воздушного зазора ). К условиям такого контакта приближается система, где два слоя очень гибкого диэлектрика соединены и находятся под давлением. Если на некотором участке нижней диэлектрической поверхности до ее совмещения со вторым диэлектриком создать поверхностный заряд, обеспечивающий начальное напряжение на этом диэлектрике, равное Vc, то начальная поверхностная плотность заряда ас на этой поверхности будет определяться выражением После замыкания ключа В напряжение Vd на верхнем диэлектрике, создаваемое поверхностным зарядом, будет равно напряжению Vs на нижнем диэлектрике. Допуская возможность свободного обмена зарядами между двумя поверхностями, имеем Если устранить давление и, не размыкая ключа В, отделить поверхности друг от друга, то напряжение на верхнем и нижнем диэлектриках сохранится г), а начальный поверхностный заряд распределится между двумя поверхностями в отношении, определяемом выражением (151). После отделения поверхностей переноса зарядов, обусловленного пробоем воздушного промежутка, не происходит, так как поле между двумя диэлектриками, по существу, равно нулю- Если же устранить давление только после размыкания ключа В и последующего замыкания ключа А, т. е. после подачи напряжения на слои, то при достаточно большой величине напряжения при разделении поверхностей можно получить дополнительный перенос зарядов. Однако если после подачи напряжения разомкнуть ключ А и замкнуть ключ В, то подача напряжения не обеспечивает переноса зарядов (конечно, при условии, что подача напряжения не приводит к утечке через диэлектрики). Если же приложенное напряжение настолько высоко, что происходит утечка через диэлектрические слои, то можно предполагать, что перенос зарядов в этом случае будет интенсивнее, чем при отсутствии напряжения. Итак, при условии отсутствия утечки и пробоя диэлектрика переноса зарядов в незаряженных зонах не происходит. Следовательно, если перенос электростатических изображений производится описанным способом, можно ожидать, что на участки фона заряды не будут переноситься. Подача напряжения ничего не меняет, если токопроводящие подложки диэлектрических слоев закорочены.
читать далее
Истончение эпителия
Этот процесс, однако, имеет место не на всех участках поверхности эпителиального пласта. Эпителиальный пласт приблизительно с 17-18-х суток инкубации подразделяется на участки с различными уровнями дифференцировки. В образующихся к этому времени криптах продолжается интенсивное митотическое размножение клеток, остающихся на сравнительно невысоком уровне дифференцировки; образующиеся в результате этого размножения клетки смещаются в более высоко лежащие участки […]
Хроническая алкогольная интоксикация
При отравлении тетрахлоруглеродом через 55 ч после его приема ЩФ исчезает из центра дольки и увеличивается на ее периферии. Начиная с 6-18-го дня фосфатаза постепенно начинает увеличиваться от периферии к центру. Эстераза снижает свою активность в центролобулярном пространстве ко 2-му дню и восстанавливает ее к 6-7-му дню. Пентозонуклеиновая кислота резко снижается спустя 5-12 ч после […]
Изучающий нормальную гистологию
Willis (1962) подчеркивает, что метаплазию следует строго отграничивать от гетеротопии или гетероплазии, при которых ткань, необычная для данной части организма, возникает в результате первичной ошибки дифференциации. «Изучающий нормальную гистологию склонен принимать, что различные роды дифференцированных тканей и клеток суть твердо фиксированные, неизменные структуры, каждый определенный и неизменяемый вид (клеток) способен продуцировать путем пролиферации клетки только […]