На практике селеновые ксерографические пластины в процессе электрического очувствления обычно приобретают положительный поверхностный заряд. Этим достигается дырочная проводимость через селеновый слой при освещении, которая обеспечивает более эффективный разряд, чем электронная проводимость. Так как коэффициент поглощения в области наибольшей/ спектральной чувствительности очень высок, то, следовательно, свет почти полностью поглощается в очень тонком слое (приблизительно толщиной 0,1 мк) поверхности селена. Фотоны, поглощенные в этом тонком слое, рождают пары электрон — дырка. При положительном поверхностном заряде дырки будут двигаться в направлении к подложке, а электроны — к поверхности. Следовательно, электроны проходят очень короткое расстояние, в то время как дырки проникают — через всю толщину слоя. Таким образом, при положительном поверхностном заряде освобожденные светом дырки становятся в действительности основными носителями фототока. При отрицательном поверхностном заряде основными носителями будут электроны. Однако возможны исключения, например когда селен напыляется на стеклянную подложку с проводящим покрытием. В этом случае при освещении селенового слоя со стороны стекла для обеспечения дырочной проводимости необходим отрицательный поверхностный заряд, а для электронной проводимости — положительный заряд. Все представленные кривые получены на одной пластине, имевшей толщину приблизительно 50 мк. Эта пластина оказалась нечувствительной к свету с длиной волны 600-650 ммк, но была обнаружена доступная измерению чувствительность в красной области спектра (700-750 ммк) при положительном поверхностном заряде. С отрицательным поверхностным зарядом эта чувствительность к красному свету не обнаруживалась. Это объясняется тем, что селеновая пластина, использованная в этих работах, имела максимальный потенциал удерживаемого отрицательного заряда -300 е. Поэтому приходилось заряжать пластину до некоторого меньшего потенциала, чтобы предотвратить перезарядку слоя. Наивысшей чувствительностью обладает слой селена на подложке из железа, а самой низкой — на подложке из нержавеющей стали. Эти измерения сделаны с отрицательным поверхностным зарядом. Было бы интересно обнаружить какую-либо разницу при положительном поверхностном заряде, чтобы сравнить с результатами работы. Кроме того, обнаружено, что тепловая обработка аморфных слоев селена заметно влияет, на спектральную чувствительность. Для отрицательного заряда чувствительность увеличивается довольно значительно со временем при нагреве до 60° С, в то время как для положительного заряда чувствительность уменьшается. ?
читать далее
Функциональное обследование легочно-сердечной системы
Внелегочные симптомы заболевания туберкулезом Наряду с возможностью локализации туберкулезных изменений в различных органах, о которых будет сказано в соответствующих главах, необходимо учитывать часто встречающиеся функциональные нарушения, вызываемые туберкулезной токсемией. Речь идет прежде всего о реактивных явлениях со стороны центральной и вегетативной нервной системы (неврастения, вегетативная дистония), о функциональных нарушениях кровообращения (тахикардия и гипотония), нарушениях функции […]
Комбинированное хирургическое лечение
Оперативное лечение с резекцией легочной ткани проведено 146 больным с вторичным туберкулезом легких: у 100 человек оказался фиброзно-кавернозный процесс, у 20 — туберкуломы легких, у 18 — очаговый туберкулез, у двух — цирротическнй туберкулез и у шести — посттуберкулезный пневмосклероз. У пяти исследуемых с туберкулезным поражением легких обнаружены трахеобронхомегалии. Наиболее подробно в литературе описаны пороки […]
Осколки кости
Таким образом, огнестрельный перелом диафиза в большинстве случаев происходит в результате растрескивания и раздробления кости, близких к так называемому взрывному эффекту. Вследствие рассеивания осколков в поврежденном органе редко образуется типичный раневой канал цилиндрической или конусообразной формы, чаще он представляет собой очаг размозжения кости и мягких тканей неправильных очертаний с большим количеством дополнительных слепых каналов в […]