Коронный ток между проволокой и поверхностью зависит от плотности ионов и их подвижности, а также от разности потенциалов и расстояния между проволокой и поверхностью. В общем случае плотность ионов пропорциональна разности потенциалов V. — V0. Для любой конфигурации проволок, расположенных на малом расстоянии от плоской поверхности, коронный ток можно представить следующим выражением: тт Располагая заземленный экран над проволокой, можно увеличить плотность ионов. Так как на экране не создается заряд, то напряжение между экраном и проволокой остается постоянным и плотность ионов, образующихся вокруг проволоки, также постоянна. Однако, поскольку на пластине заряд накапливается, большая часть ионов направляется к экрану. Так как на поверхности диэлектрика накапливается заряд, потенциал пластины увеличивается, а ток уменьшается. Когда ток становится равным нулю, процесс зарядки прекращается и потенциал пластины достигает своего максимального значения. Если пренебречь током в фотопроводящем диэлектрике, то скорость зарядки будет равна току, текущему к пластине, т. е. Когда темновой ток в диэлектрике пренебрежимо мал, представляет собой зарядный ток. Однако известно, что темновой ток в пленке фотопроводящего изолятора может влиять на скорость зарядки коронным разрядом и на максимальный заряд, который может быть удержан этой пленкой. Кроме того, темновой ток не пропорционален напряжению на пленке и обычно увеличивается очень быстро, когда заряд, находящийся на пленке, образует внутри нее сильное поле. Некоторые примеры соотношения между токами и электрическими полями в изолирующих пленках можно найти в работе. Так как на диэлектрической пленке накапливаются заряды, то ток, текущий к пленке, уменьшается, а ток утечки через пленку возрастает. Когда эти два тока становятся равными, потенциал пленки достигает максимального значения. При этом заряд стекает с той же скоростью, с какой ионы подходят к поверхности. Для иллюстрации этого эффекта с помощью выражения вычислена зависимость тока к пластине от потенциала пластины для двух напряжений короны. Там же представлены зависимости темновых токов в пленке аморфного селена толщиной 20 мк как функции отрицательного (а) и положительного (б) потенциалов поверхности. Довольно резкое увеличение темнового тока в этих пленках наблюдается при поверхностных потенциалах выше 300 в (отрицательный) и 400 в (положительный). ?
читать далее
Генетические повреждения
Posted on Author admin1
Международной комиссией по радиационной защите разработаны максимально допустимые дозы облучения за год для лиц работающих с лучевыми нагрузками, и для всего населения. тура, должно быть так оборудовано, чтобы безопасные дозы для персонала ;и окружающих не могли быть превышены. Правила работы в учреждениях рентгенологии, радиологии и ядерной медицины изложены в опубликованной Управлением по технике безопасности Инструкции […]
Отравление газом
Posted on Author admin1
Целесообразно обеспечить дыхание кислородом с самого начала, не ожидая транспортировки в более безопасное место. Исключение составляют случаи, когда кислород в загрязненной промышленной атмосфере может образовать взрывчатую смесь с улетучивающимся газом, например, водородом. Действие этих газов заключается в замене кислорода воздуха, они опасны только в концентрациях, которые способны снизить парциальное давление кислорода в воздухе ниже нормы, […]
Степени реорганизации и дедифференциации
Posted on Author admin1
У тех животных, в жизни которых бесполое размножение играет особенно большую роль, способ развития, сложившийся при почковании, может вытеснить типичный путь эмбрионального развития. В этом отношении особенно показательны мшанки, представляющие одно из наиболее разительных «исключений» из теории зародышевых листков. У многих мшанок при эмбриональном развитии энтодерма не образуется, и кишечник целиком формируется из эктодермы (Вгает, […]