Уменьшение скорости темпового спада

Дальнейшее уменьшение скорости темпового спада наблюдалось, когда подложка подвергалась анодной обработке в растворе тартрата аммония или в растворе серной кислоты. Приемы очистки латунных подложек описаны в той же работе. Очень заметное уменьшение скорости темнового спада потенциала оказывалось при использовании полировки с помощью состава «вакс» (wax) или раствора парафина в бензине в качестве первой стадии очистки. В работе обнаружено, что невидимые неровности на поверхности подложки, жирные пятна, отпечатки пальцев и т. д. становятся видимыми после напыления слоя селена. Установлено, что особенно эффективна химическая очистка поверхности 20%-ным спиртом в течение 1 час и следующая затем ионная бомбардировка в вакуумной камере. Из экспериментов с различными материалами, напыляемыми между аморфным слоем и подложкой, становится ясно, что темновой спад определяется главным образом условиями на границе раздела. Материалы наносились на подложку до покрытия ее селеном путем напыления в вакууме. Обычно промежуточные слои были толщиной меньше нескольких микрон. Единственными данными, известными из этих экспериментов, являются скорость спада потенциала в темноте и скорость спада потенциала при освещении голубым светом (-450 ммк). Результаты для разных промежуточных слоев могут быть суммированы следующим образом: двуокись селена увеличивает темновую проводимость при отрицательной поверхностной зарядке. Для положительного поверхностного заряда имеется меньшее, но все-таки заметное увеличение скорости темнового спада потенциала. Эти результаты указывают на высокую скорость инжекции дырок из слоя двуокиси селена в аморфный селен, а также на некоторое увеличение скорости инжекции электронов из двуокиси селена в пленку аморфного селена по сравнению со случаем, когда аморфный селен непосредственно контактирует с металлической подложкой. Сплав селена с цинком не приводит к каким-либо заметным изменениям в электрических характеристиках пленки аморфного селена. Промежуточные слои из фтористого магния MgF2 не дают значительных изменений в скорости спада потенциала в темноте и при голубом свете. Однако обнаружено заметное увеличение остаточного потенциала после освещения голубым светом, указывающее на то, что эти пленки создают дырочные ловушки в слое селена. С промежуточными слоями из кристаллического селена не обнаружено заметных изменений в скорости спада потенциала в темноте и при голубом свете для положительного поверхностного заряда, однако для отрицательного поверхностного заряда наблюдалось значительное увеличение скорости спада потенциала в темноте, что свидетельствует об инжекции дырок из кристаллического в аморфный слой. Мышьяк не дает каких-либо заметных изменений в скорости спада потенциала ни в темноте, ни на свету. ?