В работе рассмотрена общая модель разряда или светового спада с учетом выражения Гехта для фототока в изолирующих кристаллах. Эта теория основывается на предположении, что средний сдвиг свободных носителей (электронов или дырок) в слое изолятора пропорционален электрическому полю, т. е. В соотношении учитывается уменьшение свободных носителей только за счет попадания их в ловушки при дрейфе в слое, а рекомбинация носителей, особенно в случае сильного поглощения света, не принимается во внимание. Это эквивалентно предположению, что рекомбинация или вообще не происходит в области поглощения света, или ее скорость постоянна и не зависит от напряженности поля. Такое предположение приводит в соответствии с выражением к насыщению тока разрядки при высоких поверхностных потенциалах. В действительности же, если представить графически разрядный ток как функцию поверхностного потенциала при освещении заряженного слоя аморфного селена, то кривая с насыщением не получается. Верхняя сплошная приведена к величине тока, измеряемого в селеновых ксерографических пластинках с потенциалом 500 в, а нижняя сплошная кривая приведена к значению тока, соответствующего кривой а с потенциалом 312,5 в. Нижняя сплошная кривая приблизительно совпадает с кривой а при потенциале ниже 300 в. Расхождение между этими кривыми при высоких потенциалах может быть связано с рекомбинацией, которая, по-видимому, увеличивается по мере уменьшения начального поверхностного потенциала. Однако эта методика не эквивалентна разряду ксерографических пластин при освещении. Рассмотренная выше теория не описывает этого явления. По-видимому, теория может дать лучшее согласие с экспериментом лишь в том случае, когда свет проникает в объем фотопроводящего слоя. При этом рекомбинация может быть учтена в рамках соотношения (64) как часть общего эффекта. Остаточный потенциал может появиться лишь в том случае, когда время жизни носителей в ловушках будет больше, чем время релаксации при разрядке слоя.
читать далее
Поверхности костей
Вследствие нарушения процессов обызвествления костей и торможения самого процесса остеогенеза образующееся костное вещество имеет характер остеоида, развитие и рост костей черепа происходит недостаточно, необходимое для роста мозга увеличение объема черепа происходит в значительной мере за счет увеличения родничков, которые при этом длительное время остаются незакрытыми. На поверхности костей крыши черепа, преимущественно в области лобных костей, […]
Сердечно-сосудистая патология
Больные с наклонностью к тромботическим процессам в длительных полетах подвергаются риску из-за вынужденной неподвижности и сопутствующего ей венозного стаза. Им рекомендуют в полете почаще двигать ногами и прогуливаться по салону. Больные с анемией могут путешествовать в герметичном салоне, однако количество эритроцитов менее 2500х109/л, вероятно, является показанием к переливанию донорской крови. Гемотрансфузией следует повысить уровень гемоглобина […]
Сведения о развитии тканей
Но если для цитологии и гистологии дифференцированных организмов это было закономерным и вело к детализации и углублению обширных ранее накопленных знаний, полученных с помощью световой микроскопии и обычной гистологической техники, то в области эмбрионального гистогенеза применение современного методического арсенала пало на мало подготовленную почву. Сведения о развитии тканей, добытые с помощью классических гисто — и […]