Слои аморфного селена, напыленные на подложки из стекла с проводящим покрытием, обнаруживают медленный темновой спад положительного заряда и очень быстрый темновой спад отрицательного заряда. Когда слои были заряжены положительно и освещались со стороны селена, потенциал уменьшался до относительно низкой величины. Однако при освещении пластины со стороны стекла потенциал уменьшался сначала примерно с той же скоростью, но до более высокого значения остаточного потенциала. Такое поведение фототока можно объяснить тем, что при положительном заряде на селене и освещении через стекло фототок определяется электронами, и эффект должен быть аналогичен зарядке селена отрицательным зарядом и освещению слоя со стороны селена. При отрицательном заряде и освещении поверхности селена остаточный потенциал обычно выше, чем в случае положительного заряда. В работе сообщается об экспериментах со слоями аморфного селена, напыленными на проводящие лодложки, представляющие собой покрытия из окиси кадмия на стекле. Оксидное покрытие толщиной -0,05 мк было получено лутем распыления. Селеновые слои толщиной 0,2 — 16 мк получались напылением в вакууме при температуре подложки, поддерживавшейся при 20° С и ниже. Эта температура оказалась необходимой для обеспечения адгезии между аморфными слоями и очень тонкими покрытиями. Обнаружено также, что темновые спады положительного и отрицательного зарядов достаточно медленны даже для очень тонких слоев. Сообщаются времена темновых полуспадов (от 30 до 60 мин). К тому же тонкие пленки были способны выдерживать довольно высокие поверхностные заряды, причем внутренние поля при насыщении достигали значений 50-104-60-lO4 в/см, по-видимому, для положительной и отрицательной зарядок. Однако скорость светового спада положительного заряда приблизительно вдвое больше скорости спада отрицательного заряда.
читать далее
Ядра образующегося плазмодиотрофобласта
Сохранившиеся отдельные клетки первичного цитотрофобласта несколько позже дают начало мощным цитотрофобластическим разрастаниям, но, кроме того, непрерывно продуцируют новые генерации симпластических масс. Вслед за инвазионным плазмодием образуется другая генерация плазмодиотрофобласта, которую некоторые исследователи (например, Maza пес, 1959) характеризуют как «индифферентную» и «незрелую». Для подобной характеристики, однако, нет достаточных оснований, поскольку речь идет о специфической, необратимо дифференцированной […]
Разрыв кисты
За несколько лет они вырастают до значительных размеров и начинают вызывать симптомы сдавления в зависимости от локализации. Иногда они обызвествляются, и их можно обнаружить с помощью рентгенографии. Согласно последним данным, большие дозы мебендазола (вермокс) вызывают регрессирование эхинококковых кист. Обычно кисты поддаются хирургическое удалению Разрыв кисты может вызвать анафилактический шок. Ascaris lumbricoides — широко распространенней круглый […]
Количество сероводорода
Арсин (АвНз). Арсин обнаруживают в случаях, когда водород образуется в присутствии мышьяковистых соединений. Мышьяк загрязняет многие металлические руды, поэтому при их плавке образуется мышьяковистый водород. Этот газ является мощным гемолитическим средством. В менее тяжелых случаях отравление протекает скрыто сутки или более после контакта с токсином, затем развиваются тошнота, головная боль и боль в эпигастрии. Через […]