Представленные здесь расчетные и экспериментальные данные позволяют оценить степень приближения теории к эксперименту. Вычерчены графики зависимости перенесенного заряда от приложенного напряжения. В некоторых случаях показан также заряд, оставшийся на первоначально заряженном участке диэлектрического или фотопроводящего слоя. Расчетные величины перенесенного заряда получены из данных об отношении толщины пленки к ее диэлектрической проницаемости. Так как пленка майлара обладает очень высоким удельным сопротивлением (-1019 ом-см), то при вычислении количества перенесенного заряда этот материал можно рассматривать как идеальный изолятор. Что же касается аморфного селена, то при наложении сильного поля его проводимость заметно возрастает. Известно, что обычные ксерографические пластины с аморфным селеном выдерживают значительно более сильное поле в том случае, когда их поверхность заряжена положительно. Следует отметить, что при значениях отрицательного поверхностного потенциала, близких к 2-105 в/см, происходит резкое увеличение проводимости. Когда отрицательный поверхностный потенциал достигает величины -400 в по отношению к подложке, проводимость становится такой большой, что слой аморфного селена в данном эксперименте по переносу зарядов приходится считать проводником. В случае положительного поверхностного потенциала проводимость возрастает заметно при 3-Ю5 в/см, однако возрастание происходит не так быстро, как в случае отрицательного поверхностного потенциала. Следовательно, можно предположить, что в случае положительного поверхностного потенциала утечка, которая позволяет слой селена считать проводником, возникает при значительно более сильных полях. Из практики известно, что для описываемых пластин с аморфным селеном предельный отрицательный потенциал обычно не превышает -400 в; в случае же положительной зарядки эти пластины можно легко зарядить до 600-700 в. Этими свойствами аморфного селена и объясняются отклонения экспериментальных величин от расчетных, наблюдающиеся при переносе зарядов.
читать далее
Говоря о теоретических основах эволюционной гистологии
Задача этой и трех следующих глав состоит в том, чтобы, исходя из общих положений, намеченных А. Н. Северцовым, очертить некоторые перспективы дальнейшей разработки вопросов эволюции тканевых и клеточных структур с учетом коренных сдвигов, происшедших в цитологии и гистологии за последние два десятилетия. Будучи последовательным дарвинистом, А. Н. Северцов многократно подчеркивал, что в объяснении причин эволюции […]
Уплотнение легкого
Выявление влажных хрипов, мелкопузырчатых и реже сред-непузырчатых при йнфильтративных изменениях и бронхопневмониях чаще всего свидетельствует об активности процесса, за исключением своеобразных, несколько трескучих хрипов при склеротических изменениях в легких и циррозе. Крупнопузырчатые, особенно звучные влажные хрипы, по мнению Ф. Г. Яновского, всегда свидетельствуют о деструктивном (кавернозном) процессе, Сухие хрипы обычно связаны с сопутствующим бронхитом, иногда […]
Темновая устойчивость
Время, в течение которого на пластине сохраняется скрытое электростатическое изображение, определяется скоростью спада электрического потенциала в темноте. Темновой спад — функция темнового сопротивления пластины. Если период между экспонированием и проявлением велик, устойчивость становится важным фактором. Однако, когда экспонирование и проявление следуют непосредственно друг за другом, как, например, в автоматических машинах, темновая устойчивость не имеет существенного […]