Предполагается, что при очень малом зазоре и достаточно высоком приложенном напряжении возможен перенос зарядов за счет автоэлектронной эмиссии. В этом случае критические условия для процесса переноса зарядов определяются крутой наклонной частью кривой Пашена, расположенной слева от горизонтального участка. При высоких значениях величины Va + Ус кривые, вычисленные по уравнению, располагаются обычно выше этого крутого участка, определяющего критическое поле для данной области. В области малых величин зазора кривые не пересекаются с кривой Пашена. Если к находящимся в контакте поверхностям приложить высокое напряжение, то перенос зарядов может произойти при очень малой величине зазора, так как кривые зависимости напряжения в зазоре от величины зазора лежат выше критического поля для этой области. Между двумя гладкими поверхностями, находящимися в контакте, всегда имеется очень тонкая воздушная прослойка, средняя толщина которой может колебаться от долей микрона до нескольких микронов в зависимости от качества поверхностей и величины приложенного давления. Так, при виртуальном контакте отшлифованных и отполированных поверхностей зазор между ними составляет -1 лж; поверхности с оптической полировкой дают зазоры около 0,25 мк. Величину зазоров в этом диапазоне нельзя вычислить обычным способом, исходя из значений других параметров. Как видно из выражения (140), при Z>»zc и малых зазорах величина перенесенного заряда почти не зависит от величины зазора.
читать далее
Туберкулез глаза
Важно отметить, что значительная часть случаев туберкулезного менингита относится к первичному периоду инфекции; отсюда следует и наибольшая частота заболеваний в детском возрасте. Указывают, и с достаточным основанием [Кмент (Kment)], что базилярный лептоменингит возникает вследствие не непосредственной гематогенной инфекции мягкой мозговой оболочки, а первоначального поражения plexus chorioideus, откуда уже затем по току ликвора поражаются оболочки. Такая […]
Предотвращение острой почечной недостаточности
Манипуляции на уретре, цистоскопия и оперативные вмешательства на предстательной железе иногда бывают причиной септицемии, вызванной грамотрицательной флорой и проявляющейся симптомами шока, диссеминированного внутрисосудистого свертывания, острой почечной недостаточности. Профилактическая обработка уретры антисептиком (хлоргексидином) уменьшает опасность септицемии. Перед плановой урологической операцией моча должна быть стерильной. В качестве причины необъяснимого внезапного коллапса после операции, который изредка можно связать […]
Модель слоев аморфного селена
В работе Ли и Регенсбургера предложена теоретическая модель, объясняющая характеристики фотоиндуцированного разряда ксерографических слоев аморфного селена. Эта модель учитывает не только движение носителей в объеме, но и рекомбинацию фотогенерированных дырок и электронов. Был рассмотрен случай только сильного поглощения света на поверхности фотопроводящего слоя изолятора, что характерно для аморфного селена при освещении его светом в области […]